雷射直寫無光罩曝光機BEAM可以設計任何您想要的奈米圖案化，而無需昂貴的實體光罩。這款產品能在實現優越的曝光性能的同時，保證低成本以及更便捷的用戶體驗。
光束引擎將雷射光束聚焦到繞射極限點並曝光光阻劑上的任何圖案。對大尺寸晶圓，設備能實現精準的步進式曝光。光束引擎能夠在5英吋晶圓上產生小於 (CD) 0.8 μm的特徵。
精巧袖珍
全功能無光罩曝光機，比桌上型電腦還小，價格更實惠。
功能強大
擁有次微米解析度，在不到兩秒的時間內完成一個曝光圖案的寫入。
超快自動對焦
當與我們的閉迴路聚焦光學元件結合使用時，壓電致動器在不到一秒的時間內完成聚焦。
毫不費力的多層對準
幾分鐘內實現半自動多層對準。
矽基板上的光阻劑圖案陣列。每個單元為50 × 63 μm，相鄰圖案之間的間距為3 μm。使用的光阻劑：AZ5214E
隨附的軟體可以快速完成任何圖案化工作；只需載入、對準和曝光。
導航移動方式類似於CNC系統。
在多層曝光期間，GDS圖案被覆蓋以進行可視化。控制GUI (左視窗) 有一個載入的GDS的小地圖，允許通過一鍵導航移動到晶圓上的任何區域。
0.8 μm 錐形中間部分，側面有 20 ✕ 90 μm 接觸電極。
使用的光阻劑：AZ5214E
開環諧振器陣列。右側的分離距離為1.5 μm (箭頭)，左側的分離距離為 2 μm。 外圈直徑為 80 μm。
| 參數 | BEAM | |
| 圖案化 | ||
| 最小線寬 | 2 μm 0.8 μm 可實現 |
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| 最小間距 | 1.6 μm 可實現 | |
| 曝光時間 | 1個圖案<2s | |
| 最大寫域 | 400 μm X 400 μm | |
| 雷射波長 | 405 nm | |
| 雷射振鏡 | 步進精度 | 8 nm |
| 重複性 | <100 nm(靜止) | |
| 速度 | 高達200mm/s | |
| 步進馬達參數 | ||
| 電動平台 | 編碼器解析度 | 0.1 μm |
| 載台重複性(1σ) | 優於0.3 μm | |
| 移動範圍 | 120 mm X 120 mm | |
| 最大樣品尺寸 | 130 mm X 130 mm (> 5") | |
| 晶圓對準 | 支持多層製程 | |
| 通用規格 | ||
| 接受的文件格式 | .bmp, .png, .tiff, .gds 自行定義圖案，並可以直接在軟體中繪製 |
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| 軟體 | 圖案化 | Nanyte BEAM Xplorer |
| 設計 | KLayout(最强大)，MS Paint/Powerpoint (快速原設計) | |
| 重量 | 少於 20 kg | |
| 系統尺寸 | 330 X 310 X 340 mm | |